0 0 0
  8. SIRA99DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIRA99DP-T1-GE3

 
SIRA99DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794779
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
198.59 грн
5+
178.65 грн
7+
141.17 грн
20+
133.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-156А(1960098)
Сопротивление в открытом состоянии
2,65мОм(1851124)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
66,6Вт(1811055)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
260нC(1479537)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-400А(1758560)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIRA99DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794779
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
198.59 грн
5+
178.65 грн
7+
141.17 грн
20+
133.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-156А
Сопротивление в открытом состоянии
2,65мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
260нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-400А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g