0 0 0
  7. SIRB40DP-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SIRB40DP-T1-GE3

 
SIRB40DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778637
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
89.70 грн
5+
80.97 грн
16+
65.09 грн
43+
61.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм(1479514)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
29,6Вт(1960066)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
93нC(1479482)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы многоканальные SIRB40DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778637
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
89.70 грн
5+
80.97 грн
16+
65.09 грн
43+
61.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
29,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
93нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g