0 0 0
  8. SIRC18DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRC18DP-T1-GE3

 
SIRC18DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778459
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.52 грн
5+
76.97 грн
16+
62.19 грн
44+
59.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
1,54мОм(1960088)
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky(1667410)
Рассеиваемая мощность
34,7Вт(1741860)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
111нC(1733907)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
250А(1714519)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRC18DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778459
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.52 грн
5+
76.97 грн
16+
62.19 грн
44+
59.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
1,54мОм
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
34,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
111нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
250А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g