0 0 0
  8. SIRS700DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRS700DP-T1-RE3

 
SIRS700DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 778519
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 102А; Idm: 350А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
338.96 грн
5+
242.45 грн
12+
228.90 грн
500+
225.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
102А(1625139)
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
84Вт(1741978)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
130нC(1479431)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
350А(1811067)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRS700DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 778519
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 102А; Idm: 350А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
338.96 грн
5+
242.45 грн
12+
228.90 грн
500+
225.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
102А
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
84Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
130нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
350А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g