0 0 0
  8. SIS322DNT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIS322DNT-T1-GE3

 
SIS322DNT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778341
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
31.59 грн
25+
28.42 грн
44+
23.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
30,6А(1960019)
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
12,7Вт(1785132)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21,5нC(1694965)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIS322DNT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778341
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
31.59 грн
25+
28.42 грн
44+
23.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
30,6А
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
12,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g