0 0 0
  8. SIS413DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIS413DN-T1-GE3

 
SIS413DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794795
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
39.69 грн
50+
29.69 грн
51+
20.08 грн
138+
18.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2880 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-18А(1478982)
Сопротивление в открытом состоянии
13,2мОм(1775130)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-70А(1811056)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,096 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIS413DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794795
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
39.69 грн
50+
29.69 грн
51+
20.08 грн
138+
18.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2880 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-18А
Сопротивление в открытом состоянии
13,2мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
110нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,096 g