0 0 0
  8. SIS415DNT-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIS415DNT-T1-GE3

 
SIS415DNT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794773
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
40.96 грн
25+
36.91 грн
34+
30.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-35А(1733903)
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм(1479384)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
180нC(1479420)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-80А(1789209)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIS415DNT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794773
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.74 грн
5+
40.96 грн
25+
36.91 грн
34+
30.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-35А
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
180нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g