0 0 0
  8. SIS444DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIS444DN-T1-GE3

 
SIS444DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778495
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.02 грн
5+
47.37 грн
25+
42.03 грн
27+
37.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
102нC(1700731)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIS444DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778495
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.02 грн
5+
47.37 грн
25+
42.03 грн
27+
37.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
102нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g