0 0 0
  8. SIS606BDN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIS606BDN-T1-GE3

 
SIS606BDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778338
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 28,2А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.23 грн
5+
89.70 грн
14+
73.03 грн
39+
69.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
28,2А(1960054)
Сопротивление в открытом состоянии
20,5мОм(1801456)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
33,3Вт(1741824)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIS606BDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778338
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 28,2А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.23 грн
5+
89.70 грн
14+
73.03 грн
39+
69.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
28,2А
Сопротивление в открытом состоянии
20,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g