0 0 0
  8. SIS780DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIS780DN-T1-GE3

 
SIS780DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778537
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.73 грн
5+
37.92 грн
25+
34.09 грн
36+
28.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
18А(1479247)
Сопротивление в открытом состоянии
17,5мОм(1479030)
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky(1667410)
Рассеиваемая мощность
17,7Вт(1960087)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
24,5нC(1790435)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIS780DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778537
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 18А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.73 грн
5+
37.92 грн
25+
34.09 грн
36+
28.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
18А
Сопротивление в открытом состоянии
17,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
17,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
24,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g