0 0 0
  8. SIS862ADN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIS862ADN-T1-GE3

 
SIS862ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778255
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 41,6А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.82 грн
5+
49.93 грн
25+
44.18 грн
26+
39.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
41,6А(1960055)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
25Вт(1507409)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIS862ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778255
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 41,6А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.82 грн
5+
49.93 грн
25+
44.18 грн
26+
39.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
41,6А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g