0 0 0
  8. SIS888DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIS888DN-T1-GE3

 
SIS888DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778639
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 16А; Idm: 50А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.98 грн
5+
88.42 грн
15+
70.10 грн
39+
66.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм(1441495)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14,5нC(1609913)
Технология
ThunderFET(1714476)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIS888DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778639
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 16А; Idm: 50А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.98 грн
5+
88.42 грн
15+
70.10 грн
39+
66.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14,5нC
Технология
ThunderFET
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g