0 0 0
  8. SIS892ADN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIS892ADN-T1-GE3

 
SIS892ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 1150890
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; 52Вт; PowerPAK® 1212-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.62 грн
10+
60.88 грн
25+
41.28 грн
68+
38.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
28А(1441500)
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм(1610028)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
52Вт(1507407)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,1нC(1479080)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,102 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIS892ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 1150890
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; 52Вт; PowerPAK® 1212-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.62 грн
10+
60.88 грн
25+
41.28 грн
68+
38.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
28А
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
52Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,1нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,102 g