0 0 0
  8. SIS892DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIS892DN-T1-GE3

 
SIS892DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778631
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27А; Idm: 50А; 43Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.07 грн
10+
69.12 грн
17+
61.18 грн
45+
58.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
27А(1441591)
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
43Вт(1740778)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21,5нC(1694965)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIS892DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778631
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27А; Idm: 50А; 43Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.07 грн
10+
69.12 грн
17+
61.18 грн
45+
58.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
27А
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
43Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g