0 0 0
  7. SIS932EDN-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SIS932EDN-T1-GE3

 
SIS932EDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778434
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.02 грн
5+
31.74 грн
25+
28.47 грн
44+
22.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм(1479163)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
14,8Вт(1942377)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14нC(1479029)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы многоканальные SIS932EDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778434
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.02 грн
5+
31.74 грн
25+
28.47 грн
44+
22.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
14,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g