0 0 0
  8. SISA12ADN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISA12ADN-T1-GE3

 
SISA12ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947614
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
10+
44.49 грн
25+
39.25 грн
29+
34.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
25А(1441383)
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
18Вт(1449533)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISA12ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947614
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
10+
44.49 грн
25+
39.25 грн
29+
34.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
25А
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
18Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
45нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g