0 0 0
  8. SISA14DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISA14DN-T1-GE3

 
SISA14DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778620
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.80 грн
5+
42.12 грн
25+
37.85 грн
34+
30.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
8,5мОм(1479226)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
17Вт(1740767)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
29нC(1479212)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISA14DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778620
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.80 грн
5+
42.12 грн
25+
37.85 грн
34+
30.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
8,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
17Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
29нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g