0 0 0
  8. SISA40DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISA40DN-T1-GE3

 
SISA40DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778297
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 129А; Idm: 150А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.41 грн
10+
48.38 грн
25+
41.16 грн
26+
38.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
129А(1707112)
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
53нC(1479049)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-8...12В(1979762)
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISA40DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778297
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 129А; Idm: 150А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.41 грн
10+
48.38 грн
25+
41.16 грн
26+
38.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
129А
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
53нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-8...12В
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g