0 0 0
  8. SISA88DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISA88DN-T1-GE3

 
SISA88DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778509
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32,4А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
28.12 грн
25+
25.19 грн
50+
20.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
32,4А(1960033)
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
12,7Вт(1785132)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25,5нC(1936867)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISA88DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778509
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32,4А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
28.12 грн
25+
25.19 грн
50+
20.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
32,4А
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
12,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g