0 0 0
  8. SISA96DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISA96DN-T1-GE3

 
SISA96DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778333
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.00 грн
25+
20.65 грн
61+
16.36 грн
165+
15.49 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
17Вт(1740767)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
65А(1759382)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISA96DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778333
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.00 грн
25+
20.65 грн
61+
16.36 грн
165+
15.49 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
17Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
65А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g