0 0 0
  8. SISC06DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISC06DN-T1-GE3

 
SISC06DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778479
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.64 грн
5+
54.58 грн
23+
43.54 грн
63+
41.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм(1479261)
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky(1667410)
Рассеиваемая мощность
29,6Вт(1960066)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
58нC(1478954)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISC06DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778479
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.64 грн
5+
54.58 грн
23+
43.54 грн
63+
41.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
29,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
58нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g