0 0 0
  7. SISF02DN-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SISF02DN-T1-GE3

 
SISF02DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778273
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
101.29 грн
5+
91.72 грн
14+
72.58 грн
38+
68.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
5,6мОм(1501041)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
44,4Вт(1811057)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-12...16В(1979763)
Ток стока в импульсном режиме
140А(1759379)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы многоканальные SISF02DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778273
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
101.29 грн
5+
91.72 грн
14+
72.58 грн
38+
68.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
5,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
44,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
56нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Ток стока в импульсном режиме
140А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g