0 0 0
  7. SISF06DN-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SISF06DN-T1-GE3

 
SISF06DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778504
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.75 грн
5+
71.78 грн
18+
56.63 грн
49+
53.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
81А(1479447)
Сопротивление в открытом состоянии
6,95мОм(1960089)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
44,4Вт(1811057)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
190А(1790422)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы многоканальные SISF06DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778504
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.75 грн
5+
71.78 грн
18+
56.63 грн
49+
53.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
81А
Сопротивление в открытом состоянии
6,95мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
44,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
45нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
190А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g