0 0 0
  8. SISH106DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISH106DN-T1-GE3

 
SISH106DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778298
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 15,6А; Idm: 60А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
114.38 грн
5+
103.56 грн
12+
83.47 грн
33+
78.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
15,6А(1634370)
Сопротивление в открытом состоянии
9,8мОм(1599498)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISH106DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778298
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 15,6А; Idm: 60А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
114.38 грн
5+
103.56 грн
12+
83.47 грн
33+
78.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
15,6А
Сопротивление в открытом состоянии
9,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
27нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g