0 0 0
  8. SISH112DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISH112DN-T1-GE3

 
SISH112DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778617
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 14,2А; Idm: 60А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
108.85 грн
5+
98.52 грн
13+
77.86 грн
35+
73.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
14,2А(1960021)
Сопротивление в открытом состоянии
8,2мОм(1478995)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISH112DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778617
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 14,2А; Idm: 60А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
108.85 грн
5+
98.52 грн
13+
77.86 грн
35+
73.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
14,2А
Сопротивление в открытом состоянии
8,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
27нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g