0 0 0
  8. SISH116DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISH116DN-T1-GE3

 
SISH116DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778364
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 13,1А; Idm: 60А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
111.38 грн
5+
100.32 грн
13+
80.57 грн
35+
76.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
13,1А(1602418)
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISH116DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778364
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 13,1А; Idm: 60А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
111.38 грн
5+
100.32 грн
13+
80.57 грн
35+
76.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
13,1А
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g