0 0 0
  8. SISH892BDN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISH892BDN-T1-GE3

 
SISH892BDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778578
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
47.19 грн
25+
42.59 грн
30+
34.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
34,7мОм(1960023)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
18,6Вт(1925265)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
26,5нC(1609899)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISH892BDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778578
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
47.19 грн
25+
42.59 грн
30+
34.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
34,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
18,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
26,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g