0 0 0
  8. SISHA04DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISHA04DN-T1-GE3

 
SISHA04DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778304
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.55 грн
5+
55.90 грн
23+
45.13 грн
62+
42.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм(1479542)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
43Вт(1740778)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
77нC(1479494)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISHA04DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778304
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.55 грн
5+
55.90 грн
23+
45.13 грн
62+
42.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
43Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
77нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g