0 0 0
  8. SISS02DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS02DN-T1-GE3

 
SISS02DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778586
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 80А; Idm: 300А; 42Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
100.69 грн
5+
90.55 грн
14+
73.37 грн
38+
69.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
1,83мОм(1960024)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42Вт(1607949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
83нC(1479330)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-12...16В(1979763)
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS02DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778586
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 80А; Idm: 300А; 42Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
100.69 грн
5+
90.55 грн
14+
73.37 грн
38+
69.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
1,83мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
83нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g