0 0 0
  8. SISS04DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS04DN-T1-GE3

 
SISS04DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778447
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
102.49 грн
5+
92.96 грн
14+
73.89 грн
37+
69.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
1,85мОм(1609923)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42Вт(1607949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
93нC(1479482)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-12...16В(1979763)
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS04DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778447
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
102.49 грн
5+
92.96 грн
14+
73.89 грн
37+
69.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
1,85мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
93нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g