0 0 0
  8. SISS06DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS06DN-T1-GE3

 
SISS06DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778527
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 138,1А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
76.34 грн
5+
69.26 грн
18+
55.09 грн
50+
51.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
138,1А(1960025)
Сопротивление в открытом состоянии
2,03мОм(1959998)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42Вт(1607949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
77нC(1479494)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS06DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778527
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 138,1А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
76.34 грн
5+
69.26 грн
18+
55.09 грн
50+
51.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
138,1А
Сопротивление в открытом состоянии
2,03мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
77нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g