0 0 0
  8. SISS26DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS26DN-T1-GE3

 
SISS26DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778535
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.96 грн
5+
135.86 грн
10+
108.06 грн
26+
102.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
7,8мОм(1479522)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
37нC(1479234)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS26DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778535
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.96 грн
5+
135.86 грн
10+
108.06 грн
26+
102.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
7,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
37нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g