0 0 0
  8. SISS26LDN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS26LDN-T1-GE3

 
SISS26LDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778288
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 65А; Idm: 150А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.63 грн
5+
74.69 грн
17+
59.59 грн
46+
56.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
65А(1441313)
Сопротивление в открытом состоянии
6,2мОм(1600171)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
48нC(1479306)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS26LDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778288
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 65А; Idm: 150А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.63 грн
5+
74.69 грн
17+
59.59 грн
46+
56.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
65А
Сопротивление в открытом состоянии
6,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
48нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g