0 0 0
  8. SISS27ADN-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SISS27ADN-T1-GE3

 
SISS27ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794762
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.17 грн
5+
55.57 грн
23+
44.86 грн
62+
42.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-50А(1588832)
Сопротивление в открытом состоянии
8,1мОм(1596080)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
117нC(1633666)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-200А(1810493)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SISS27ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794762
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.17 грн
5+
55.57 грн
23+
44.86 грн
62+
42.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-50А
Сопротивление в открытом состоянии
8,1мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
117нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g