0 0 0
  8. SISS32ADN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS32ADN-T1-GE3

 
SISS32ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778460
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.44 грн
5+
99.32 грн
13+
79.45 грн
35+
75.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
50,3А(1960032)
Сопротивление в открытом состоянии
8,7мОм(1479224)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42Вт(1607949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS32ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778460
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.44 грн
5+
99.32 грн
13+
79.45 грн
35+
75.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
50,3А
Сопротивление в открытом состоянии
8,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
36нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g