0 0 0
  8. SISS42DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS42DN-T1-GE3

 
SISS42DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778627
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 32,4А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
115.10 грн
5+
103.99 грн
13+
84.14 грн
34+
79.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
32,4А(1960033)
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм(1441314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS42DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778627
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 32,4А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
115.10 грн
5+
103.99 грн
13+
84.14 грн
34+
79.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
32,4А
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
38нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g