0 0 0
  8. SISS54DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS54DN-T1-GE3

 
SISS54DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778577
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 148,5А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.47 грн
5+
96.14 грн
13+
76.27 грн
36+
72.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
148,5А(1960035)
Сопротивление в открытом состоянии
1,5мОм(1479615)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42Вт(1607949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
72нC(1479338)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-12...16В(1979763)
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS54DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778577
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 148,5А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.47 грн
5+
96.14 грн
13+
76.27 грн
36+
72.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
148,5А
Сопротивление в открытом состоянии
1,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
72нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g