0 0 0
  8. SISS72DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS72DN-T1-GE3

 
SISS72DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778412
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 20,4А; Idm: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.62 грн
5+
102.49 грн
13+
81.84 грн
34+
77.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
20,4А(1887995)
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42,1Вт(1960038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Технология
ThunderFET(1714476) TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS72DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778412
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 20,4А; Idm: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.62 грн
5+
102.49 грн
13+
81.84 грн
34+
77.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
20,4А
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22нC
Технология
ThunderFET
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g