0 0 0
  8. SISS98DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISS98DN-T1-GE3

 
SISS98DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778480
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.73 грн
5+
88.19 грн
15+
69.92 грн
39+
66.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
11,2А(1737220)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18,2нC(1609883)
Технология
ThunderFET(1714476)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30А(1741680)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISS98DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778480
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.73 грн
5+
88.19 грн
15+
69.92 грн
39+
66.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
11,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18,2нC
Технология
ThunderFET
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g