0 0 0
  8. SIUD401ED-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIUD401ED-T1-GE3

 
SIUD401ED-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842636
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -500мА; Idm: -1А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.08 грн
25+
10.33 грн
100+
9.14 грн
120+
8.66 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-500мА(1536860)
Сопротивление в открытом состоянии
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2нC(1609793)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-1А(1908876)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIUD401ED-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842636
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -500мА; Idm: -1А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.08 грн
25+
10.33 грн
100+
9.14 грн
120+
8.66 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-500мА
Сопротивление в открытом состоянии
3,5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g