0 0 0
  8. SIUD403ED-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIUD403ED-T1-GE3

 
SIUD403ED-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842644
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.87 грн
100+
5.08 грн
240+
4.26 грн
655+
4.03 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-500мА(1536860)
Сопротивление в открытом состоянии
4,4Ом(1588137)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,7нC(1636487)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А(1709889)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIUD403ED-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842644
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.87 грн
100+
5.08 грн
240+
4.26 грн
655+
4.03 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-500мА
Сопротивление в открытом состоянии
4,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,7нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g