0 0 0
  8. SIUD406ED-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIUD406ED-T1-GE3

 
SIUD406ED-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847014
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
10.17 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,5А(1643334)
Сопротивление в открытом состоянии
1,85Ом(1638684)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,6нC(1639540)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIUD406ED-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847014
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
10.17 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
1,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,6нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g