0 0 0
  8. SIUD412ED-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIUD412ED-T1-GE3

 
SIUD412ED-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847125
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.60 грн
25+
7.54 грн
100+
6.75 грн
160+
6.20 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
0,5А(1643334)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,71нC(1993133)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,5А(1709863)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIUD412ED-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847125
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.60 грн
25+
7.54 грн
100+
6.75 грн
160+
6.20 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,71нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g