0 0 0
  8. SIZ200DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ200DT-T1-GE3

 
SIZ200DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846935
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
43.26 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
61А(1479406)
Сопротивление в открытом состоянии
7,7/7,3мОм(1985957)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30/28нC(1985958)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ200DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846935
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
43.26 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
61А
Сопротивление в открытом состоянии
7,7/7,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30/28нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g