0 0 0
  8. SIZ250DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ250DT-T1-GE3

 
SIZ250DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847076
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
52.41 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
38А(1479331)
Сопротивление в открытом состоянии
18,87/18,11мОм(1985960)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ250DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847076
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
52.41 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
38А
Сопротивление в открытом состоянии
18,87/18,11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g