0 0 0
  8. SIZ256DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ256DT-T1-GE3

 
SIZ256DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847045
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 70В; 31,8А; Idm: 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
54.00 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
70В(1441528)
Ток стока
31,8А(1933289)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ256DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847045
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 70В; 31,8А; Idm: 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
54.00 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
70В
Ток стока
31,8А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
27нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g