0 0 0
  8. SIZ270DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ270DT-T1-GE3

 
SIZ270DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847004
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,5А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
62.77 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
19,5А(1790436)
Сопротивление в открытом состоянии
54,1/51,7мОм(1985961)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ270DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847004
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,5А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
62.77 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
19,5А
Сопротивление в открытом состоянии
54,1/51,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
27нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g