0 0 0
  8. SIZ300DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ300DT-T1-GE3

 
SIZ300DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847087
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 28/11А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
52.41 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
28/11А(1985962)
Сопротивление в открытом состоянии
16,5/32мОм(1985965)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
31/16,7Вт(1985964)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22/12нC(1985966)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40...30А(1985963)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ300DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847087
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 28/11А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
52.41 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
28/11А
Сопротивление в открытом состоянии
16,5/32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
31/16,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22/12нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40...30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g