0 0 0
  8. SIZ320DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ320DT-T1-GE3

 
SIZ320DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846978
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30/40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
36.63 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
30/40А(1898287)
Сопротивление в открытом состоянии
12,7/6,58мОм(1985969)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
16,7/31Вт(1985968)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15/26,7нC(1985970)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
80...120А(1985967)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ320DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846978
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30/40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
36.63 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
30/40А
Сопротивление в открытом состоянии
12,7/6,58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
16,7/31Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15/26,7нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80...120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g