Транзисторы многоканальные SIZ346DT-T1-GE3

 
SIZ346DT-T1-GE3
 
Артикул: 842743
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
28.36 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
17/30А(1985980)
Сопротивление в открытом состоянии
15,3/37мОм(1985983)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
16/16,7Вт(1985982)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10/20нC(1985984)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
25...100А(1985981)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SIZ346DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842743
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
28.36 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
17/30А
Сопротивление в открытом состоянии
15,3/37мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
16/16,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10/20нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
25...100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g